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MJ11016G中文资料

MJ11016G图片

MJ11016G外观图

  • 大小:115.8KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:1000; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-204AA; Av Current Ic:30A; Collector Emitter Voltage Vces:3V; Continuous Collector Current Ic Max:30A; Current Ic Continuous a Max:30A; Current Ic hFE:20A; Device Marking:MJ11016; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:4MHz; Hfe Min:1000; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:200W; Powe...
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 300mA,30A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 20A,5V
  • 功率 - 最大:200W
  • 频率 - 转换:4MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
  • 其它名称:MJ11016GOS

MJ11016G供应商

更新时间:2023-01-09 01:42:00
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